设备：高温栅偏测试系统HTXB GR3-D

厂商：阅芯科技

用途：要用于功率半导体器件的环境老化试验，比如 Si/SiC/GaN 材料的 IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的 HTGB 试验，用于测定栅氧本身及相关界面的可靠性。

测试标准：GJB128A-1997方法1042条件B稳态栅偏置；MIL-STD-750F Method 1038 Test condition B；JESD22-A108D  Temperature，Bias，and Operating Life

技术指标：

l  最大工作电压2000V

l  测试温度：-20℃-180℃

l  I_GES检测范围：0-2000nA，分辨率0.01nA

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