特性：高阻断电压、高频运行、低导通电阻、低反向恢复电荷

                         优点：并联装置方便，无需热失控、系统效率高、高温应用、系统可靠性更高

                         优势：低损耗、开关速度更快、高阻断电压

                         应用：电机驱动器、太阳能/风能逆变器、车载电动汽车充电器、交直流变换器

SiC MOSFET（碳化硅MOSFET）以低导通电阻、低开关损耗、高开关频率、高工作结温等优势称为工业界的"明日之星”

碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围，同时具备单极型器件的卓越开关性能，它在开关电路中不存在电流拖尾的情况，具有更低的开关损耗和更高的工作频率。

适用于光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统的应用上。拥有高压高频和高效率的优势，是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。